EV・HEV関連

過渡熱抵抗測定器

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装置概要

BJT/IGBT/MOS FETの過渡熱抵抗を測定する装置です

Model No.2082B20852087
測定条件VCB 2~199V
IE 0.1~29.9A
IM 1~99mA
精度 ±1%
PW
1,2,5,10mS
20,50,100,200mS
500,1000mS
VCB 2~599V
IE 0.1~500.0A
IM 1~199mA
精度 ±1%
PW
100,200,500μS
1,2,5,10,50mS
100,200,500mS
1,2S
VCB 2~1200V
IE 0.1~999.9A
IM 1~999mA
精度 ±1%
PW
0.1~99.9mS
1~999mS
0.01~9.99S
0.1~99.9S
1~999S
測定範囲ΔVBE
1~999mV
VBE(max)3V
ΔVGS
10mV~9.99V
VGS(max)20V
ΔVBE
1~1999mV
VBE(max)3V
精度 ±1%
ΔVBE
1~999mV
VBE(max)3V
精度 ±1%
サンプリング点Td 50~990μSTd 50~990μSTd 50~990μS
最大バイアス印加条件・PW 1mS時
VCB 199V
IE 29.9A
・PW 1S時
VCB 20V
IE 20.0A
・PW 100μS時
VCB 599V
IE 500A
・PW 2S時
VCB 20V
IE 100A
・PW 100μS時
VCB 1200V
IE 1000A
・PW 2S時
VCB 20V
IE 200A
試料極性Nch/Pch
NPN/PNP
NPNNPN
電源AC100V±10%
50/60Hz 1φ
AC100V±10%
50/60Hz 1φ
AC100V±10%
50/60Hz 1φ
外形寸法 [mm]W670×D750×H1400W820×D1350×H1700W1600×D2000×H1600

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