装置概要
BJT/IGBT/MOS FETの過渡熱抵抗を測定する装置です
- BJT過渡熱抵抗測定器は、トランジスタのベース・エミッタ間に微少電流を流し、そのときのベース・エミッタ間電圧を計り、その後コレクタ・エミッタ間に電力を印加し、ジャンクション温度を上昇させ、電力切断後、再びベース・エミッタ間に、微少電流を流し、ベース・エミッタ間電圧を計り、その差を求める測定器です。
- IGBT過渡熱抵抗測定器は、BJT過渡熱抵抗測定器と同じタイミングでゲート・エミッタ間の電圧差を求める測定器です。
- P-MOS FET過渡熱抵抗測定器は、BJT過渡熱抵抗測定器と同じタイミングでゲート・ソース間の電圧差を求める測定器です。
- BJT過渡熱抵抗測定器のベース・エミッタ間でダイオードのΔVFを測定することができます。
| Model No. | 2082B | 2085 | 2087 |
|---|---|---|---|
| 測定条件 | VCB 2～199V IE 0.1～29.9A IM 1～99mA 精度 ±1% PW 1,2,5,10mS 20,50,100,200mS 500,1000mS | VCB 2～599V IE 0.1～500.0A IM 1～199mA 精度 ±1% PW 100,200,500μS 1,2,5,10,50mS 100,200,500mS 1,2S | VCB 2～1200V IE 0.1～999.9A IM 1～999mA 精度 ±1% PW 0.1～99.9mS 1～999mS 0.01～9.99S 0.1～99.9S 1～999S |
| 測定範囲 | ΔVBE 1～999mV VBE(max)3V ΔVGS 10mV～9.99V VGS(max)20V | ΔVBE 1～1999mV VBE(max)3V 精度 ±1% | ΔVBE 1～999mV VBE(max)3V 精度 ±1% |
| サンプリング点 | Td 50～990μS | Td 50～990μS | Td 50～990μS |
| 最大バイアス印加条件 | ・PW 1mS時 VCB 199V IE 29.9A ・PW 1S時 VCB 20V IE 20.0A | ・PW 100μS時 VCB 599V IE 500A ・PW 2S時 VCB 20V IE 100A | ・PW 100μS時 VCB 1200V IE 1000A ・PW 2S時 VCB 20V IE 200A |
| 試料極性 | Nch/Pch NPN/PNP | NPN | NPN |
| 電源 | AC100V±10% 50/60Hz 1φ | AC100V±10% 50/60Hz 1φ | AC100V±10% 50/60Hz 1φ |
| 外形寸法 [mm] | W670×D750×H1400 | W820×D1350×H1700 | W1600×D2000×H1600 |