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過渡熱抵抗測定器

  

装置概要

BJT/IGBT/MOS FETの過渡熱抵抗を測定する装置です

・BJT過渡熱抵抗測定器は、トランジスタのベース・エミッタ間に微少電流を流し、そのときのベース・エミッタ間電圧を計り、その後コレクタ・エミッタ間に電力を印加し、ジャンクション温度を上昇させ、電力切断後、再びベース・エミッタ間に、微少電流を流し、ベース・エミッタ間電圧を計り、その差を求める測定器です。

・IGBT過渡熱抵抗測定器は、BJT過渡熱抵抗測定器と同じタイミングでゲート・エミッタ間の電圧差を求める測定器です。

・P-MOS FET過渡熱抵抗測定器は、BJT過渡熱抵抗測定器と同じタイミングでゲート・ソース間の電圧差を求める測定器です。

・BJT過渡熱抵抗測定器のベース・エミッタ間でダイオードのΔVFを測定することができます。

Solution
Model
No.
2082B 2085 2087
測定条件 VCB 2~199V
IE 0.1~29.9A
IM 1~99mA
精度 ±1%
PW
1,2,5,10mS
20,50,100,200mS
500,1000mS
VCB 2~599V
IE 0.1~500.0A
IM 1~199mA
精度 ±1%
PW
100,200,500μS
1,2,5,10,50mS
100,200,500mS
1,2S
VCB 2~1200V
IE 0.1~999.9A
IM 1~999mA
精度 ±1%
PW
0.1~99.9mS
1~999mS
0.01~9.99S
0.1~99.9S
1~999S
測定範囲 ΔVBE
1~999mV
VBE(max)3V
ΔVGS
10mV~9.99V
VGS(max)20V
ΔVBE
1~1999mV
VBE(max)3V
精度 ±1%
ΔVBE
1~999mV
VBE(max)3V
精度 ±1%
サンプ
リング
Td 50~990μS Td 50~990μS Td 50~990μS
最大
バイアス
印加条件
・PW 1mS時
VCB 199V
IE 29.9A
・PW 1S時
VCB 20V
IE 20.0A
・PW 100μS時
VCB 599V
IE 500A
・PW 2S時
VCB 20V
IE 100A
・PW 100μS時
VCB 1200V
IE 1000A
・PW 2S時
VCB 20V
IE 200A
試料極性 Nch/Pch
NPN/PNP
NPN NPN
電源 AC100V±10%
50/60Hz 1φ
AC100V±10%
50/60Hz 1φ
AC100V±10%
50/60Hz 1φ
外形寸法
[mm]
W670×D750
×H1400
W820×D1350
×H1700
W1600×D2000
×H1600

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